小米推GaN快充 漢磊、嘉晶、茂矽進補有望

智慧手機快充商機規模持續成長,小米最新推出的快充插座更全面導入氮化鎵(GaN)技術,最高支援充電瓦數拉升到65W,充電速度大幅提升。法人看好,隨著5G智慧手機將大力採用快充技術,可望推動GaN需求全面崛起,切入GaN領域的漢磊(3707)及嘉晶(3016)及功率半導體晶圓代工廠茂矽(2342)皆有機會搶下快充升級商機。

進入5G世代後,由於智慧手機傳輸速率相較4G大幅提升,因此基地台傳輸訊號距離亦相對縮減,智慧手機則需要加裝更多射頻天線,以接收從四面八方而來的5G訊號,避免訊號中斷、進而影響使用者體驗。

由於智慧手機訊號接收頻率提高,且傳輸資料量亦將相對增加,在智慧手機功耗提升,但電池容量提升卻有限的情況下,快充技術儼然成為智慧手機品牌大力著墨的焦點。

小米現在已經正式推出具備GaN技術的快充充電器,採用Type-C規格,最高支援瓦數達到65W,根據小米官方釋出訊息,採用該款充電器為iPhone 11充電,充電速度比原先使用蘋果自家5W充電器快上50%,且由於採用GaN晶片,因此在充電瓦數增加狀況下,充電器體積也不會明顯放大。

法人看好,小米率先推出該款產品後,有機會引起其他非蘋陣營相繼跟進,將GaN導入行動裝置充電器當中,推動GaN需求大幅崛起。目前國內切入GaN的晶圓代工漢磊及旗下的磊晶矽晶圓廠嘉晶有機會率先搶下這波商機。

據了解,漢磊6吋的矽基氮化鎵(GaN on Si)晶圓代工已經具備接單量產能力,嘉晶的6吋矽基GaN磊晶矽晶圓則有機會搶在2020年開始出貨。法人指出,目前漢磊正與國際IDM大廠積極接洽,在未來消費型充電器擴大導入GaN,漢磊及嘉晶將可望吃下委外訂單。

至於茂矽目前已經全面切入功率半導體晶圓代工市場,且已經開始逐步導入絕緣閘雙極電晶體(IGBT)、矽基氮化鎵(GaN-on-Si)等製程,除了可望搶下消費性市場訂單之外,後續更有電動車及混合能源車商機接棒,未來營運不看淡。

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