瀏覽標籤

3奈米

三星3奈米搶先流片!韓媒:台積這點狂勝

南韓科技大廠三星電子與全球晶圓代工龍頭台積電競爭先進製程領域,並打算在3奈米製程就採用環繞閘極技術(Gate-All-AroundGAA)並在上月底宣布,3奈米製程已經成功流片,但根據韓媒報導指出,台積電在專利數申請上又超越三星。

台積衝3奈米 啟動EUV改善計畫

晶圓代工龍頭台積電下半年5奈米接單滿載,優化版4奈米明年進入量產,已獲蘋果、高通、聯發科、博通、英特爾等大廠採用,但3奈米推進面臨晶片設計複雜度及晶圓代工成本大幅拉高等問題,關鍵在於新款極紫外光(EUV)曝光機採購金額創新高,產出吞吐量(throughput)提升速度放緩,恐將導致3奈米晶圓代工價格逼近3萬美元。

台積電3奈米製程產能 傳2大咖已超前部署

根據外電報導,台積電最先進的3奈米製程預計在明(2022)年下半年量產,而蘋果和英特爾已提早部署,可望成為首批客戶。 日經亞洲(Nikkei Asia)引述知情人士報導指出,在台積電3奈米製程明年量產之前,蘋果和英特爾已搶先當客戶,目前正使用台積電3奈米製程來測試自家晶片,其中一位消息人士表示,英特爾計畫使用的晶片數量超過了蘋果。

台積電 3奈米拚下半年量產

晶圓代工龍頭台積電將於2日(周三)舉行2021年線上技術論壇,此次線上技術論壇的主題,包括台積電先進製程技術、特殊技術、先進封裝技術,及產能擴充計畫與綠色製造成果等。其中,台積電3奈米建廠進度、2奈米研發成果、成熟製程擴產計畫,和在美國及中國等地的投資建廠進度,將是半導體業界熱門話題。

三星3奈米率先採用GAA 曝台積無畏關鍵

全球晶圓代工龍頭台積電在該領域擁有超高市占率,於7奈米製程獲得重大進展,協助客戶快速進入市場,並導入極紫外光(EUV)微影技術,於2019年開始量產後,成為全球首家應用EUV技術的晶圓代工廠。 對此,競爭對手三星電子則是緊追不捨,誓言在2030年成為全球系統半導體龍頭,並搶先在3奈米製程就採用環繞閘極技術(Gate-All-Around,GAA),但台積電在鰭式場效電晶體(FinFET)架構優於三星,讓台積電可以更有效控制成本。

台積電3奈米 明年下半年量產

台積電公告2020年年報,揭露先進製程進度,其中3奈米鰭式場效電晶體製程(FinFET)開發領先全球,同時針對行動通訊與高效能運算(HPC)應用提供優化的製程,預計2022年下半年量產。2奈米去年完成初步研究及路徑尋找之後,今年研發階段著重於測試鍵與測試載具的設計與實作,同時進入極紫外光(EUV)光罩製作及矽試產階段。

台積電4奈米提前量產 蘋果搶首波產能

全球晶圓代工龍頭台積電迎來好消息,台積電預計今年下半年完成3奈米製程的認證與試產,將在2022年量產,至於歸屬在5奈米家族的4奈米製程,原本預計要在2021年試產、2022年量產,預計將提前至今年第四季,且全部由蘋果包下首波產能。 台積電總裁魏哲家去年在論壇上提到,5奈米正加速量產,強效版5奈米則是預計2021年量產,較原本透露將在2022年量產提前1年,3奈米製程技術將於2022年下半年量產。基於5奈米製程技術的4 奈米製程,預計2022

對台積電下馬威?三星洩3奈米GAA技術

全球晶圓代工龍頭台積電在該領域的競爭對手三星電子誓言在2030年成為全球系統半導體龍頭,並採用極紫外光(EUV)微影技術,打算在10年內超越台積電,並提前在3奈米製程就採用環繞閘極技術(Gate-All-Around,GAA)。最新資料顯示,三星先前在IEEE 國際積體電路會議上,就能見到3奈米製程GAA技術的發展。 目前20奈米以下製程採用的是鰭式場效電晶體(FinFET),是種多重閘道 3D

台積電:竹科寶山研發3奈米 非量產線

晶圓代工廠台積電積極衝刺先進製程技術,傳出台積電打算在竹科寶山布建3奈米量產線,迎接美系晶片廠大單。台積電表示,竹科寶山是研發3奈米,非建置3奈米量產線。 台積電3奈米製程今年將在南科晶圓18廠試產,明年下半年量產,市場傳出,台積電3奈米訂單太強,打算在竹科寶山建置3奈米量產線。 台積電今天澄清,是在竹科寶山研發3奈米,而不是建置3奈米量產線。