尼克森 衝刺第三代半導體
MOSFET廠尼克森(3317)持續衝刺第三代半導體市場,2022年公司將投入第二代1200V的碳化矽Power MOSFET平台、650V的絕緣柵雙極電晶體(IGBT)及氮化鎵(GaN)等相關新品,可望持續替未來持續成長的工控、車用電子市場打下技術基礎,推動後續業績維持成長動能。
尼克森近年來開始擴大布局第三代半導體市場,除先前的SiC、IGBT等產品線外,進入2022年後,根據尼克森最新公布的年報中顯示,公司已開始著手開發第二代碳化矽1200V的Power!-->!-->!-->…