英特爾砸200億美元 俄州建晶圓廠

半導體大廠英特爾證實將在美國五大湖區的俄亥俄州(Ohio)哥倫布(Columbus)市郊的新奧爾巴尼(New Albany)地區,投資200億美元建立一個大型晶圓廠區。英特爾預計自2022年起興建新廠,2025年可望開始量產,該廠區最多將興建八座晶圓廠,以確保英特爾在半導體產業的領先地位。

根據外媒報導,英特爾初步計劃在新奧爾巴尼占地1,000英畝的基地上興建兩座晶圓廠,並在當地進行最先進電腦處理器的研發及製造,將招募至少3,000名員工,晶圓廠預估2022年動工興建,2025年進入量產階段。

英特爾執行長基辛格(Pat Gelsinger)表示,英特爾在俄亥俄州的建廠計畫,最終可能會把生產基地擴大至2,000英畝,並建造最多八座晶圓廠。他發下豪語指出,英特爾之前協助建立矽谷(Silicon Valley),如今將著手打造矽中心地帶(Silicon Heartland),要把當地建設成地表上最大的矽晶圓製造據點。

英特爾於2021年9月宣布將投資200億美元,於美國亞利桑那州(Arizona)興建Fab 52及Fab 62等兩座晶圓廠,完工後英特爾在該園區內的晶圓廠將增加至六座。至於英特爾此次決定在身為搖擺州的俄亥俄州設立大型晶圓廠區,市場人士認為有助法案在國會贏得更多支持,因為該州共和黨議員日前才呼籲國會核准520億美元的晶片製造法案(CHIPS Act)。

基辛格表示,若國會通過晶片製造法案,英特爾可將部分後段封裝測試移回美國生產,這對國安有正面影響。晶片生產鏈後段封測集中在亞洲,當地勞工成本低且當地政府願意提供補助,不過隨半導體廠自動化程度愈來愈高,若美國政府也有補助意願,英特爾將部分製造移回美國,還是符合成本效益。

雖然基辛格曾指出,美國政府應補助真正的美國半導體企業,但包括超微、輝達等多數半導體業者仍支持只要在美國生產就應給予補助。因此,台積電及三星電子都已計劃在美國興建新晶圓廠,其中台積電在亞利桑那州的5奈米晶圓廠已開始興建,預計2024年進入量產,第一期月產能為2萬片晶圓,台積電預估2021~2029年在此專案上的支出約120億美元,將直接創造超過1,600個高科技專業工作機會。

英特爾美國大投資簡表