英特爾彎道超車 陸行之:台積電不能輕敵

英特爾發表新的製程與封裝創新藍圖規劃,並持續擴大在晶圓代工領域的深度,企圖在2025年之前技術趕上台積電與三星電子,知名半導體分析師陸行之表示,英特爾加速日來了,台積電不能輕敵,因為這雖然是宣戰,但也算是正名及縮短差距的彎道加速超車新策略。

對於英特爾的4年大計,陸行之今(27日)在臉書發文表示,一般人會認為,英特爾製程工藝打不過、追不上台積電,用改名快,但他有一些不同的看法,他反而覺得台積電不能輕敵,這個雖然是宣戰,但也算是正名及縮短差距的彎道加速超車新策略,因為英特爾本來2022年的10奈米及2023年的7奈米,確實跟台積電的7奈米及4奈米不相上下。

陸行之表示,英特爾現在終於放棄了過去在節點名稱的堅持,回歸產業正軌,這樣半導體分析師也比較輕鬆,以後就專心盯著每家資本開支、量產時點、良率、產能利用率、成本等等,這是自Pat Gelsinger上任執行長後,英特爾一口氣公布未來5年的製程工藝藍圖,以後再延遲,就一翻兩瞪眼很難看了。

陸行之也說明,英特爾2022年原本要用10奈米SuperFin加強版量產做的筆電CPU Alder Lake 伺服器 CPU Sapphire Rapids正名為7奈米,與台積電相差4年;2023年原本要用7奈米量產做的筆電CPU Meteor Lake伺服器CPU Granite Rapids正名為4奈米,與台積電相差1年。

另外,英特爾第一次宣布的3奈米要在2023年下半年投片量產,與台積電相差1年;英特爾第一次宣布的2奈米/20A Angstrom 埃米(有Ribbon FET PowerVia GAA)要在2024年幫高通投片量產新產品,應該跟台積電2奈米/20A 投片量產時點不相上下;英特爾第一次宣布的1.8奈米/18A要使用改良版的RibbonFET 還有使用ASML最新的高數值孔徑High NA EUV。

陸行之指出,英特爾首次宣布在2024年搶下高通20埃米晶圓代工產品,亞馬遜的AWS將成為英特爾第一個代工客戶使用英特爾先進封裝解決方案,這些沒有跟英特爾產品競爭的客戶使用英特爾代工服務,都在之前的掌握之中,現在就要看英特爾是否能夠確實執行了。

(中時新聞網 曹逸雯)


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