英特爾 從實驗室到晶圓廠之路

英特爾在半導體製造領域,一路以來擁有歷史與創新兼備的基礎。英特爾過去引介過許多業界首創、能夠大量生產製造,並對半導體生態系具有深遠影響的技術,例如應變矽、高介電金屬閘極(HKMG),以及3D鰭式場效電晶體(FinFET),英特爾正延續這項傳統,持續投資創新技術,甫宣布的一系列最新製程與封裝技術就是最佳證明。

英特爾的製造之路自今年3月底英特爾執行長基辛格(Pat Gelsinger)揭曉之全新IDM 2.0策略邁開大步。一是英特爾全球自家工廠是競爭優勢關鍵,可實現產品優化、提高經濟效益和供貨彈性。Pat再次重申,英特爾將繼續自內部生產多數產品;Intel 4(先前稱為Intel 7奈米)的製程開發進展順利,積極使用EUV(極紫外光)技術將可更新架構並簡化流程。

除了製程創新外,英特爾在封裝技術上的領導地位也是一個重要的優勢,它透過多個IP或「晶片塊」的組合,提供獨特的客製化產品以滿足運算世界中多樣化客戶的需求。

二是建立在既有長期的關係基礎上,英特爾將持續擴大使用第三方晶圓代工合作夥伴的產能。英特爾正和第三方晶圓代工廠如台積電、三星、格芯、聯電擴大既有的合作關係,這將帶來成本優化、效能、時程和供貨所需的更高靈活性和更大規模。
而第三方晶圓代工廠如今可以製造生產一系列基於英特爾技術的產品,包括通訊、連網、繪圖晶片和晶片組等。

英特爾與第三方晶圓代工廠的合作將持續成長,包括採用先進製程技術製造一系列模組化晶片塊在內,並在2023年開始為PC端和資料中心領域提供以英特爾運算為核心的產品。

英特爾的2023年CPU產品藍圖包括client端的Meteor Lake和資料中心的Granite Rapids。Meteor Lake和Granite Rapids都將使用基於Intel 4製程的晶片塊,英特爾會持續與台積電合作,為我們的client和資料中心客戶提供領先的產品。

三是英特爾期望打造世界級晶圓代工廠,以服務全球日益增加的晶片需求。IDM 2.0關鍵的一環就是生產製造,英特爾所採用的製程與封裝技術,亦會是全球供應鏈網路的一劑強心針。

許多突破性技術,是由英特爾在美國奧勒岡州和亞利桑那州研發團隊自主開發,然後轉移至英特爾的大規模生產網路,相關的創新還更進一步吸引生態系夥伴共同深入合作,例如ASML、IBM、imec以及CEA-Leti。這些先進晶圓製造設備與研究機構,共同協助把製造創新從實驗室帶往生產基地。

英特爾發表的製程與封裝創新藍圖規劃,將為下一波及其之後的產品注入動力,兩款突破性製程技術,包含業界首次由背部供電的方案PowerVia,以及超過十年以來首款新的電晶體架構RibbonFET。

並同步介紹了先進3D封裝創新與新款節點命名方式,開啟埃米(angstrom)時代並且重新定義,給予客戶以及整個產業對於製程節點更為精確的認知。

希望隨著技術與生產能力的提升,為智慧電網、金融系統、健康照護與國防安全等諸多面向注入運算動力,達成創新領先地位。