新聞分析》台積EUV CIP計畫 有助提高自由現金流量

台積電今後三年的1,000億美元資本支出,有80%將用於擴充先進製程產能,而隨著台積電先進製程向3奈米及2奈米發展,又以極紫外光(EUV)產能建置將占千億美元預算的最大比重。因此,若能透過EUV CIP計畫,減少EUV採購量,將有助台積提高自由現金流量。

台積電要在5奈米及更先進製程維持領先,近年來積極買進EUV曝光機並維持產能優勢。根據台積電於日前召開的技術論壇中指出,EUV曝光機累計裝機數量到2020年已占全球總機台數量的50%,2020年為止採用台積電EUV技術生產的晶圓,占累計EUV曝光晶圓數的65%。

隨著台積電Fab 18廠第五期至第八期的3奈米產能在未來2~3年逐步完成建置並進入量產,以及美國亞利桑那州12吋廠第一期在2024年後進入量產,採用台積電EUV技術曝光的晶圓數將呈現等比級數成長,坐穩全球擁有最大EUV產能的半導體廠寶座,但也得付出龐大的投資成本。

然而EUV曝光機持續推陳出新,不僅耗電量大得驚人,產出吞吐量(throughput)仍有很大的改善空間。況且, 先進製程投資金額愈來愈高,能夠支付如此龐大晶圓代工費用的半導體廠已經沒有幾家,雖然台積電現在有蘋果、輝達(NVIDIA)、超微、高通、聯發科、英特爾、博通、邁威爾(Marvell)、賽靈思(Xilinx)等大客戶採用先進製程,但隨著三星晶圓代工積極擴產,英特爾可能併購格芯(GlobalFoundries)並加駕先進製程產能投資,台積電面臨的競爭壓力將愈來愈大。

對台積電而言,EUV產能建置完成後最怕的就是客戶訂單量能不如預期,產能利用率過低將造成毛利率下滑壓力。因此,此次啟動EUV CIP計畫,若能有效減少3奈米晶圓EUV光罩層數,在達成同樣產出量情況下將有助於減少EUV曝光機採購量,若每年減少1~2台EUV機台採購,資本支出也可降低3億美元,對於提高台積電自由現金流量、降低折舊攤提費用增加幅度等都將有明顯助益。


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