三星3奈米搶先流片!韓媒:台積這點狂勝

南韓科技大廠三星電子與全球晶圓代工龍頭台積電競爭先進製程領域,並打算在3奈米製程就採用環繞閘極技術(Gate-All-AroundGAA)並在上月底宣布,3奈米製程已經成功流片,但根據韓媒報導指出,台積電在專利數申請上又超越三星。

三星打算在3奈米製程就採用GAA技術,並表示3奈米製程節點與該公司的7奈米LPP製程相比,3GAAE製程可以在同樣功耗下提高性能30%,或是在同樣頻率下降低功耗50%,電晶體密度提升80%。三星預計MBCFET將在2022年投產。三星3奈米正式流片 (Tape Out),主要是與新思科技 (Synopsys) 合作,加速為 GAA技術提供最佳化解決方案,預料將運用在在高效能運算 (HPC)、5G、通訊、AI等應用領域上。

至於台積電,GAA技術將進展到2奈米製程開始導入,3奈米製程維持FinFET架構,將重點放在 2 奈米以外節點,以及3D電晶體、新記憶體以及low-R interconnect 等領域,為各項技術平台創造發展基礎,並且加強Fab 12 的研發N3、N2甚至更高階的先進製程節點。

據《BusinessKorea》報導,台積電、三星相繼投入GAA技術研發後,南韓知識產權局近日的統計資料顯示,GAA技術相關專利大幅增加,先進製程主流的FinFET在2017年達到申請數量高峰、1年1936 件,到 2020 年,申請數量降至1503 件,GAA計數則是在2017年的173件,2020年增至381 件。

此外,台積電、三星、IBM以及格羅方德,申請 GAA 製程專利數量分別占比31.4%、20.6%、10.2%、5.5%,顯示台積電就算GAA技術較晚才導入產品,仍在研發競爭力上超過競爭對手。

文章來源:businesskorea

(中時新聞網 呂承哲)


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