8,000億 三星大手筆加碼半導體

逆向加碼?韓國三星電子繼日前宣布在韓國平澤二廠(P2)擴建極紫外光(EUV)晶圓代工生產線(10兆韓元)後,1日再宣布,將以8兆韓元在該廠擴大3D NAND記憶體產能,加上市場推估三星可能再加碼DRAM投資15兆韓元,這一波景氣危機,三星合計可能加碼33兆韓元(約新台幣8千億元)大投資。

由於三星的半導體策略一向是在景氣低迷時擴大投資,業界認為,三星近期可能會再宣布在P2廠DRAM產能追加投資計畫。

新冠肺炎疫情及中美貿易戰導致市場不確定性大增,三星一如過往選擇在景氣低迷時大舉投資,以確保在晶圓代工及記憶體市場的競爭力。據外電報導,三星1日宣布將擴建平澤二廠的3D NAND生產線,5月已開始進行無塵室施工,預計2021年下半年進入量產,與同樣位於平澤二廠的晶圓代工EUV生產線一起啟用。

三星雖然沒有公布此次擴建3D NAND產能的投資金額,但業界預估大約投入約8兆韓元(約65億美元),將可增加每月2萬片的12吋晶圓產能,明年下半年會量產三星最先進的100層以上3D NAND產品,預估第一批投產的產品會是第六代V-NAND。

記憶體模組業者指出,美國總統大選年底結束,新冠肺炎疫情明年應會明顯緩和,所以記憶體市場明年將會是多頭年,包括資料中心、筆電及平板、智慧型手機等搭載容量將大幅提高,其中,筆電及智慧型手機搭載512GB及1TB儲存容量將成市場主流。三星現在啟動擴產計畫,明年下半年進入量產,正好可趕上下一波NAND Flash需求爆發時間點。

三星NAND Flash生產線主要分布在韓國華城廠區、平澤廠區、以及中國西安廠區。其中,中國西安廠二期及平澤二廠已積極擴建無塵室及增建生產線,其中西安廠二期將用於投產100層以下3D NAND的第五代V-NAND,平澤二廠則會生產100層以上3D NAND的第六代V-NAND。

三星平澤二廠是綜合型晶圓廠,一層樓規畫建置EUV晶圓代工及3D NAND生產線,另一層樓則追加DRAM生產線。在三星宣布5奈米EUV晶圓代工及3D NAND產能擴建計畫後,業界認為三星應很快會宣布DRAM產能擴建計畫(金額推估將達15兆韓元),同樣在明年下半年量產。

三星電子韓國平澤二廠晶圓廠產線擴建計畫
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