美光星廠啟用 台廠加速擴建

星廠應用先進3D NAND製程技術,推動5G、AI關鍵技術轉型;台中廠拚年底落成

記憶體大廠美光科技(Micron)14日宣布完成新加坡NAND Flash廠Fab 10A擴建!美光執行長Sanjay Mehrotra表示,新廠區將視市場需求調整資本支出及產能規畫,並應用先進3D NAND製程技術,進一步推動5G、人工智慧(AI)、自動駕駛等關鍵技術轉型。此外,美光亦將加碼在台灣DRAM廠投資,台中廠擴建生產線可望在年底前落成。

美光14日舉行新加坡Fab 10A廠擴建完成啟用典禮,共有超過500名客戶及供應商、經銷商、美光團隊成員、在地政府官員等共襄盛舉,而包括系統廠華碩、記憶體模組廠威剛、IC基板廠景碩、記憶體封測廠力成、IC通路商文曄等美光在台合作夥伴高層主管亦親自出席典禮。

美光2016年在新加坡成立NAND卓越中心,包括新加坡Fab 10晶圓廠區,以及位於新加坡及馬來西亞的封測廠,此次擴建的Fab 10A廠區將根據市場需求的趨勢調整資本支出,預計下半年可開始生產,但在技術及產能轉換調整情況下,Fab 10廠區總產能不變。

美光表示,NAND卓越中心利用在新加坡的基礎設施和技術專長上的長期投資,擴建的Fab 10A為晶圓廠區無塵室空間帶來運作上的彈性,可促進3D NAND技術先進製程節點的技術轉型。美光第三代96層3D NAND已進入量產,第四代128層3D NAND將由浮動閘極(floating gate)轉向替換閘極(replacement gate)過渡,Sanjay Mehrotra強調,美光3D NAND技術和儲存方案是支援長期成長的關鍵,同時進一步推動5G、AI、自動駕駛等關鍵技術轉型。

美光的DRAM布局上,以日本廣島廠為先進製程研發重心,2017年在台灣成立DRAM卓越中心,台灣成為美光最大DRAM生產重鎮。美光近幾年來在台投資規模不斷擴大,台中廠區除了現有12吋廠,也將加快投資進行新廠區擴建,計畫在年底前完成,而台中廠區後段封測廠亦持續擴大產能。在DRAM製程技術上,美光1x/1y奈米均已進入量產,1z奈米已送樣認證並開發16Gb LPDDR4,新一代1α奈米則進入良率提升階段。

隨著韓國記憶體廠三星及SK海力士開始評估在先進DRAM製程上採用極紫外光(EUV)微影技術,美光也開始評估將EUV技術應用在DRAM生產的成本效益,隨著DRAM製程由1z奈米向1α、1β、1γ奈米技術推進過程,會選擇在合適製程節點採用EUV技術方案。

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