尼克森SiC搶市 2020放量出貨

金氧半場效電晶體(MOSFET)廠尼克森(3317)研發已久的碳化矽(SiC)基板的高電壓接面位障蕭基二極體(Junction barrier Schottky diode,JBS),近期市場傳出已經研發完成。法人指出,尼克森該款產品可望在2020年開始量產出貨,未來有機會進攻電動車及5G等高階應用市場。

市場傳出,尼克森歷經數年研發的SiC基板高電壓接面位障蕭基二極體,目前已經完成研發階段,可分別對應在600V、650V及1200V等領域,並有機會在2020年開始放量出貨。

根據研調機構Yole Developpement調查指出,SiC相關市場規模在2023年將可望成長至13.99億美元,2017~2023年的年複合成長率(CAGR)達29%,未來汽車產業將成為重要推手。

據了解,SiC基板高電壓接面位障蕭基二極體主要應用在高頻及高壓應用,且由於導入SiC元件,因此不僅可讓模組設計更小,且相較過去一般二極體更加耐高溫,也就代表承受極端環境能力更強,目前主要應用在電動車、車用電子及5G等需要安裝在戶外環境的場所。

由於SiC相關元件研發難度高,因此市場上主要供應廠商幾乎清一色為國際IDM廠如羅姆(ROHM)、意法半導體(ST)及英飛凌(Infineon)等。法人認為,尼克森在完成SiC基板高電壓接面位障蕭基二極體後,將可望直接與國際大廠競爭,並藉此攻入電動車、5G等高階市場。

尼克森在2019年由於營運策略調整得當,因此業績表現相對同業亮眼。尼克森公告11月合併營收為2.47億元、月增10.7%、年成長32.5%,累計前十一月合併營收達25.81億元,相較2018年同期成長14.4%,寫下7年以來同期新高。
法人看好,隨著5G、AI等新應用需求將於2020年大舉到來,可望推動MOSFET需求回溫,加上尼克森可望切入SiC市場,在雙動能加持之下,2020年營運將可望比2019年更上一層樓。

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