陸狠砸10兆人民幣 拚第三代半導體

列「十四五規劃」核心,傾舉國之力打科技戰,優先性不亞於當年製造原子彈

面對美國在半導體領域不斷打壓,四面楚歌下的大陸決心採用「舉國之力」突圍。大陸將在10月提出的「十四五(第14個五年)規劃」中,於相關技術領域投注約人民幣(下同)10兆元,力挺發展第三代半導體產業,對此項任務賦予當年製造原子彈同等的高度優先性。

有別於第一、二代半導體材料分別為矽(Si)、砷化鎵(GaAs),第三代材料為碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN),其製成晶片可被廣泛用於新一代通訊、軍用雷達和電動車等熱門新興產業。

外電3日引述消息指出,中國大陸將在10月召開的19屆五中全會提出「十四五(2021~2025年)規劃」,內容包括擴大消費及在境內製造關鍵技術產品。同時因應美方制裁,大陸擬在2021至2025年大力支持第三代半導體產業。大陸國家主席習近平已承諾,至2025年,將向包括無線網路、人工智慧(AI)等技術領域投入約10兆元。同時在科研、教育和融資方面,將有一連串支持半導體產業的政策措施。

研究機構Gavekal Dragonomics等指出,由於大陸的第一、二代半導體技術在國際市場落後,加上現在未有國家在第三代技術占主導地位,大陸以「舉國之力」押注該領域,或希望如同5G一樣實現彎道超車。目前中國電子科技集團、三安光電等中企已進軍第三代半導體產業。

當前大陸晶片逾八成依賴進口,金額突破3千億美元,居進口項目之冠,也因此,在美方禁令下陷入困境。近年大陸內部不斷有人提出,官方應如同過去扶持面板、太陽能,再以「舉國之力」打造本土半導體產業鏈。大陸知名經濟學家賈康日前曾表示,應借鑒過去推動「兩彈一星」(核彈、導彈和人造衛星)的經驗,用「舉國體制2.0版」尋求半導體核心技術的突破。

面對美方大棒打壓,半導體產業也被推升至空前重要地位。十年前「十二五規劃」公布,大陸提出七大戰略性新興產業,半導體僅被列為「新一代信息技術」中的一個重要子項目。隨著時空變化,「十三五」末期中美科技戰升溫,官方設立「大基金」一、二期等投融資平台扶持重點企業,「十四五規劃」中,半導體地位已今非昔比。

大陸推動半導體產業發展現況

越級打怪 最怕雷大雨小

大陸全力發展半導體技術,傳出將進軍新一代化合物半導體材料碳化矽(SiC)及氮化鎵(GaN),不過由於該款產品技術難度高,又需要先進半導體設備支援,以目前美中關係緊張局勢,中國在先進半導體設備取得恐怕有極大困難,加上合肥長鑫、長江存儲及武漢弘芯案例,恐怕又是另一個雷聲大、雨點小的案例。

大陸傳出將傾國家之力,將SiC、GaN等新一代化合物半導體材料技術研發納入國家經濟發展的「十四五規劃」,藉此卡位先進半導體市場,擺脫對美國的技術依賴。

據了解,SiC、GaN技術難度相當高,現在僅英飛凌、意法半導體等國際IDM大廠成功導入量產,國內半導體廠當中,也只有晶圓代工龍頭台積電小量提供6吋GaN on Si(矽基氮化鎵)、GaN on SiC(碳化矽基氮化鎵)等代工服務,另外漢磊雖然早在前幾年就跨入市場,但仍難以達到獲利水準。

除了半導體設備之外,良率更是關鍵因素。供應鏈指出,由於SiC、GaN技術難度相當高,在初期產出參數調整上需要耗費極大功夫,甚至良率需要高達九成以上才可能達到獲利水準。

在中國喊出將跨入SiC、GaN市場後,首先將面臨到設備取得問題,在美中關係緊張狀態之下,先進半導體設備取得是難上加難,另外中國目前並無SiC、GaN技術,因此前期技術研發恐怕將又將耗費一大段時間。

此外,曾喊出成功量產DDR4 DRAM的合肥長鑫、長江存儲3D NAND Flash,目前在OEM/ODM供應鏈裡,幾乎沒有見到這兩大廠產出的晶片蹤跡,僅在白牌市場上有一席之地。最後,是宣布進軍7奈米技術、但卻先爆出財務危機的武漢弘芯,恐將面臨倒閉風險,中國宣布進軍SiC、GaN市場,怕又是另一個雷聲大、雨點小的案例。

政策下的一窩蜂投資…「爛尾」頻傳

政策支持下,近年大陸各地燃起半導體投資熱潮,但就像過去的鋼鐵、風電、太陽能一樣,一窩蜂熱情下頻傳因資金、土地出問題,導致人民幣(下同)上千億元的項目「爛尾」,包括近期爆出經營和財務問題的成都格芯、武漢弘芯。

綜合陸媒3日報導,半導體項目「爛尾」已成為各地方的頭疼問題。大陸2016年至2020年公布的省級半導體重大專案顯示,截至2020年5月共有301個專案,投資總額達2.96兆元。但至少有38個項目陷入停擺,其中又以河北省的停擺率最高,將近30%。

近期令業界震撼的是,被視為明日之星的成都格芯、武漢弘芯,都傳出財務問題。2016年受到大陸多個二線城市爭搶,擬投資100億美元的成都格芯,今夏宣布停業。

此外,曾延攬前台積電共同營運長蔣尚義出任CEO的武漢弘芯,過去因引入大陸唯一一台7奈米光刻機而聲名大噪,如今卻傳出因工程分包商拿不到工程款,將其告上法庭。原先花費巨資買來的光刻機,也為了彌補資金缺口被拿去做為抵押品。

大陸地方政府為了政績拚命搶建晶圓廠,一開始多由官方與合作團隊先行出資,一邊整地、蓋廠房,一邊找其他金主,資金原本就比較緊張。但有些團隊原意並非要投資半導體,而是趁著熱潮向官方要政策,甚至是欺騙經費和土地。

挖角大戰 愈演愈烈

另一方面,大陸的半導體熱潮也讓相關人才需求量大增,各地頻傳加價挖角的搶人大戰。一位資深獵人頭業者表示,遇到優秀人才,A公司出價100萬,B公司就開價120萬,到了C公司就是150萬。

以華為為例,近期華為打破體制慣例以2倍薪資從上海微電子集團挖走多名工程師,上海微電子董事長一氣之下還跑到中國工信部,投訴華為欺負小公司。而搶人大戰甚至延燒到獵人頭公司,一些擁有人才資源的資深經理也被其他業者高薪挖角。