英特爾發布全新3D封裝技術

英特爾新的IDM 2.0策略,對於實現摩爾定律優勢而言,封裝變得越來越重要。英特爾宣布亞馬遜AWS將是第一個採用英特爾晶圓代工服務(IFS)封裝解決方案的客戶,並同步提供下列先進封裝藍圖規劃的遠見。

英特爾EMIB自2017年產品出貨開始,以首款2.5D嵌入式橋接解決方案持續引領產業。Sapphire Rapids將會是首款量產出貨,具備EMIB (embedded multi-die interconnect bridge) 的Intel Xeon資料中心產品。它也會是業界首款具備4個方塊晶片的裝置,提供等同於單一晶片設計的效能。Sapphire Rapids之後,下一世代的EMIB將從55微米凸點間距降至45微米。

英特爾Foveros汲取晶圓級封裝能力優勢,提供首款3D堆疊解決方案。Meteor Lake將會是Foveros在client用戶端產品實作的第二世代,其具備36微米凸點間距,晶片塊橫跨多種製程節點,熱設計功耗從5至125瓦。

新推出的英特爾Foveros Omni先進3D封裝技術,採用晶片與晶片連結與模組化設計,提供不受限的靈活高效能3D堆疊技術。Foveros Omni允許混合多個頂層晶片塊與多個基底晶片塊,以及橫跨多種晶圓廠節點的分拆晶片(die disaggregation)設計,預計將於2023年準備大量生產。

英特爾同步推出Foveros Direct技術,為降低互連電阻,改採直接銅對銅接合技術,模糊了晶圓製造終點與封裝起點的界線。Foveros Direct能夠達成低於10微米的凸點間距,提升3D堆疊一個量級的互連密度,為原先被認為無法達成的功能性晶片分割開啟新頁。Foveros Direct是Foveros Omni的補充技術,同樣預計於2023年問世。

相關突破性技術,主要由英特爾位於美國奧勒岡州與亞利桑那州的工廠所開發,這些創新還更進一步吸引美國、歐洲的生態系合作夥伴共同參與。英特爾已停辦的開發者大會(IDF)將以Intel InnovatiON活動全新登場,更多資訊將於Intel InnovatiON活動中公布。Intel InnovatiON將在2021年10月27~28日於美國舊金山和線上同步舉辦。