應用材料推出次世代3D閘極全環電晶體技術
應用材料公司推出多項創新技術,協助客戶運用EUV持續進行2D微縮,並展示業界最完整的次世代3D閘極全環電晶體製造技術組合。
晶片製造商正試圖透過兩個可相互搭配的途徑來增加未來幾年的電晶體密度。一種是依循傳統摩爾定律的2D微縮技術,使用EUV微影系統與材料工程以縮小線寬。另一種是使用設計技術最佳化 (DTCO)
與3D技術,巧妙地藉由最佳化邏輯單元布局來增加密度,而不需要改變微影間距。第二種方法需要使用晶背電源分配網路與閘極全環
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